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TMS320F2812参数中文资料

单片机 | 发布时间:2018-08-16 | 人气: | #评论# | 本文关键字:TMS320F2812,引脚图,引脚定义,集成电路,IC,DSP,芯片
摘要:TI(德州仪器)生产的TMS320F2812数字讯号处理器是针对数字控制所设计的DSP,整合了DSP及微控制器的最佳特性,主要使用在嵌入式控制应用,如数字电机控制(digital motor control, DMC)、资料撷取及I/O控

TI(德州仪器)生产的TMS320F2812 数字讯号处理器是针对数字控制所设计的DSP,整合了DSP 及微控制器的最佳特性,主要使用在嵌入式控制应用,如数字电机控制(digital motor control, DMC)、资料撷取及I/O 控制(data acquisition and control, DAQ)等领域。针对应用最佳化,并有效缩短产品开发周期,F28x 核心支持全新CCS环境的C compiler,提供C 语言中直接嵌入汇编语言的程序开发介面,可在C 语言的环境中搭配汇编语言来撰写程序。值得一提的是,F28x DSP 核心支持特殊的IQ-math 函式库,系统开发人员可以使用便宜的定点数DSP 来发展所需的浮点运算算法。F28x 系列DSP预计发展至400MHz,目前已发展至150MHz 的Flash型式。

1.高性能静态CMOS制成技术
(1)150MHz(6.67ns周期时间)
(2)省电设计(1.8VCore,3.3VI/O)
(3)3.3V快取可程序电压
2.JTAG扫描支持
3.高效能32BitCPU
(1)16x16和32x32MAC Operations
(2)16x16Dual MAC
(3)哈佛总线结构
(4)快速中断响应
(5)4M线性程序寻址空间(LinearProgramAddressReach)
(6)4M线性数据寻址空间(LinearDataAddressReach)
(7)TMS320F24X/LF240X程序核心兼容
4.芯片上(On-Chip)的内存
(1)128Kx16 Flash(4个8Kx16,6个16Kx16)
(2)1Kx16OTPROM(单次可程序只读存储器)
(3)L0和L1:2组4Kx16 SARAM
(4)H0:1组8Kx16SARAM
(5)M0和M1:2组1Kx16 SARAM
共128Kx16 Flash,18Kx16 SARAM
5.外部内存接口
(1)支持1M的外部内存
(2)可程序的Wait States
(3)可程序的Read/Write StrobeTi最小g
(4)三个独立的芯片选择(Chip Selects)
6.频率与系统控制
(1)支持动态的相位锁定模块(PLL)比率变更
(2)On-Chip振荡器
(3)看门狗定时器模块
7.三个外部中断
?8.外围中断扩展方块(PIE),支持45个外围中断
9.128位保护密码
(1)保护Flash/ROM/OTP及L0/L1SARAM
(2)防止韧体逆向工程
10.三个32位CPU Timer
11.电动机控制外围
(1)两个事件管理模块(EVA,EVB)
(2)与240xADSP相容
12. (1)同步串行外围接口SPI模块
(2)两个异步串行通讯接口SCI模块,标准UART
(3)eCAN(Enhanced Controller Area Network)
(4)McBSP With SPI Mode
13.16个信道12位模拟-数字转换模块(ADC)
(1)2x8通道的输入多任务
(2)两个独立的取样-保持(Sample-and-Hold)电路
(3)可单一或同步转换
(4)快速的转换率:80ns/12.5MSPS

TMS320F2812功能方块图
                  图1 TMS320F2812功能方块图。

2.2TMS320F2812硬件结构介绍
2.2.1OSC与PLL方块
F2812芯片上设计了一个相位锁定模块(PLL),这个模块将会提供整个芯片所需频率源。PLL模块方块图如图2所示。PLL提供了4 位(PLLCR[3:0])的PLL倍率选择,共10种放大倍率,可动态改变CPU的频率频率。如表1所示为PLLCR 缓存器的格式,缓存器的位说明如表2所示。
XCLKIN:外部频率源输入。
OSCCLK:与XCLKIN的频率一样。
CLKIN:CPU维持正常工作所需的频率源。这是整个芯片的最高频率。
SYSCLKOUT:与CLKIN的频率一样,提供给外围电路使用。
TMS320F2812 OSC与PLL方块图

                       图2 TMS320F2812 OSC与PLL方块图。 

表1PLLCR缓存器位格式表:

15-43 2 1 0
ReservedDIV
R-0R/W-0

R:读取;R/W:可读可写;-0=重置后的值

NOTE:EALLOW-protected register

表2 PLLCR缓存器位说明表:

名称

功能描述

15-4Reserved保留
3-0DIVDIV 可以控制(不论PLL是否在旁路状态皆可控制)及设定(仅在PLL 为非旁路状态时才可设定)PLL的频率比:

=0000,CLKIN =OSCCLK/2(PLL bypass)

=0001,CLKIN =(OSCCLK*1.0)/2

=0010,CLKIN =(OSCCLK*2.0)/2

=0011,CLKIN =(OSCCLK*3.0)/2

=0100,CLKIN =(OSCCLK*4.0)/2

=0101,CLKIN =(OSCCLK*5.0)/2

=0110,CLKIN =(OSCCLK*6.0)/2

=0111,CLKIN =(OSCCLK*7.0)/2

=1000,CLKIN =(OSCCLK*8.0)/2

=1001,CLKIN =(OSCCLK*9.0)/2

=1010,CLKIN =(OSCCLK*10.0)/2

=1011-1111 ,保留

2.2.2系统频率控制
如图3所示,所有外围电路的频率都是由SYSCLKOUT经过除频而来,F2812将所有外围分成两类,分别是:
1.高速外围:包括事件管理模块(EVA,EVB)及ADC。
2.低速外围:包括SCI-A/B、SPI、McBSP。
HSPCLK:高速外围的频率,可经由HISPCP缓存器改变其频率,如表2-3所示为HISPCP缓存器的格式,缓存器的位说明如表4所示。
LSPCLK:低速外围的频率,可经由LOSPCP缓存器改变其频率,如表2-5所示为LOSPCP缓存器的格式,缓存器的位说明如表6所示。 

TMS320F2812系统频率方块图
                            图3 TMS320F2812系统频率方块图。
表3HISPCP缓存器位元格式表:

15-32 1 0
ReservedHSPCLK
R-0R/W-001

R:读取;R/W:可读可写;-0=重置后的值NOTE:EALLOW-protected register
表4 HISPCP 缓存器位元说明表:

位元名称

功能描述

15-3Reserved保留
2-0HSPCLK这些位元设定高速外围频率比(HSPCLK)与SYSCLKOUT的关系:

如果HISPCP≠0,HSPCLK=SYSCLKOUT/(HISPCPx2)

如果HISPCP=0,HSPCLK =SYSCLKOUT

=000,高速频率= SYSCLKOUT/1

=001,高速频率= SYSCLKOUT/2( 预设值)

=010,高速频率= SYSCLKOUT/4

=011 ,高速频率= SYSCLKOUT/6

=100,高速频率= SYSCLKOUT/8

=101,高速频率= SYSCLKOUT/10

=110 ,高速频率= SYSCLKOUT/12

=111 ,高速频率= SYSCLKOUT/14

表5 LOSPCP缓存器位元格式图:

15-32 1 0
ReservedLSPCLK
R-0R/W-010

责任编辑:TMS320F2812参数

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